求人帮忙做一道计算题（信息电子物理基础），救命！

艺术人生

题目是这样的：

! E+ S1 u" B, w, g- ^1 V
- ?' z* f+ Z6 U- i/ a: m( j- Z  g在T＝300K时，在两块单晶硅A和B中分别均匀掺杂ND＝1*1017cm-3和NA=1*1016cm-3
1.
3 J3 B8 O2 E2 e8 R分别指出两种半导体的类型，并求出两种半导体中电子浓度和空穴浓度。
6 V+ g+ R" s2 n6 E& v: R% u2.
& D. M4 o( t- c0 \如已知NC＝2.8*1019，NV＝1.04*1019，分别求出两种半导体的费米能级相对导带底或价带顶的位置。
; U! m: d. z: X; u! A$ O8 ]3.
如由这两种半导体形成PN结，求所形成的PN结的接触电位差。
2 F* J5 H0 C  m1 `7 XNi＝1.5*1010 cm-3 Vt＝KBT/e＝26mv
) d- v! a! a# w1 e/ e硅材料 Nc＝2.8*1019
Nv＝1.04*1019
2 V" ^7 X9 d; v& T, D+ x: N0 Te＝1.6*10－19C
KB＝1.38*10－23J/K
  @5 Z0 s( a/ |
% d: a& E, g' _3 q, G

) I6 g) S$ O7 p$ X5 S! T
' v) o& {5 j  w6 ~$ x8 p* o/ v好同学帮帮我，我的QQ4600533，手机13282105885，当面酬谢了。

天使3号怪盗

同学,你找对人了

鸭血粉丝汤

同学 您好!我艺术类毕业的!!!